庫號：D237504  

產品簡介
1、儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數載流子壽命測定高頻光電導衰減法；
2、測試硅單晶電阻率范圍：ρ﹥2Ω·㎝，測電子級參雜硅單晶片（厚度小于1mm）電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω.cm（表面可能需拋光處理）；
3、可測材料：硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、硅塊、硅片等；
4、可測單晶少子壽命τ范圍：5μs~10000μs；
5、紅外光源配置：波長1.06～1.09μm，紅外光在硅單晶內穿透深度大于500μm。光脈沖關斷時間＜0.2-1μｓ脈沖電流：～20A ；
6、高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ；
7、前置放大器，放大倍數約25，頻寬2HZ-2MHZ；
8、高頻電極采用銦與樣品接觸，銦可以減小半導體材料與金屬電極間的接觸電阻的良材料而且有良好的抗腐蝕性能；
9、儀器測量重復：﹤±25%；
10、顯示方式：本儀器配置數字存儲示波器，模擬帶寬50MHz，大實時采樣率1GSa/S，垂直靈敏度2mv-5v/div，掃描范圍：2.5ns—50s/div；
11、儀器消耗功率：﹤50W；
12、儀器工作條件：溫度：10-35℃，濕度﹤65% 使用電源：AC 220V，50HZ（穩壓電源）；
13、可測單晶尺寸： 斷面豎測：直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm 縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-800mm。

產品簡介
1、儀器采用GB/T1553-1997中硅單晶少數載流子壽命測定高頻光電導衰減法；
2、測試硅單晶電阻率范圍：ρ﹥2Ω·㎝，測電子級參雜硅單晶片（厚度小于1mm）電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω.cm（表面可能需拋光處理）；
3、可測材料：硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、硅塊、硅片等；
4、可測單晶少子壽命τ范圍：5μs~10000μs；
5、紅外光源配置：波長1.06～1.09μm，紅外光在硅單晶內穿透深度大于500μm。光脈沖關斷時間＜0.2-1μｓ脈沖電流：～20A ；
6、高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ；
7、前置放大器，放大倍數約25，頻寬2HZ-2MHZ；
8、高頻電極采用銦與樣品接觸，銦可以減小半導體材料與金屬電極間的接觸電阻的良材料而且有良好的抗腐蝕性能；
9、儀器測量重復：﹤±25%；
10、顯示方式：本儀器配置數字存儲示波器，模擬帶寬50MHz，大實時采樣率1GSa/S，垂直靈敏度2mv-5v/div，掃描范圍：2.5ns—50s/div；
11、儀器消耗功率：﹤50W；
12、儀器工作條件：溫度：10-35℃，濕度﹤65% 使用電源：AC 220V，50HZ（穩壓電源）；
13、可測單晶尺寸： 斷面豎測：直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm 縱向臥測：直徑5mm-20mm；長度50mm-800mm。